首页
产品
制造商
询价
资讯
关于我们
企业文化
公司介绍
公司优势
联系我们
联系我们

A5G21H605W19NR3

A5G21H605W19NR3
  • image of RF FET、MOSFET>A5G21H605W19NR3
  • image of RF FET、MOSFET>A5G21H605W19NR3
零件编号： A5G21H605W19NR3
产品分类： RF FET、MOSFET
制造商： NXP Semiconductors
类型： RF MOSFET LDMOS
封装： -
包装： 卷带式 (TR)
RoHS 状态：
分享
相似型号
A5G21H605W19N
恩智浦-NXP
2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor
产品优势
RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
产品参数
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
类型描述
制造商NXP Semiconductors
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱OM-780-4S4S
安装类型Surface Mount
频率2.11GHz ~ 2.2GHz
功率输出85W
获得15.1dB
技术GaN
供应商设备包OM-780-4S4S
额定电压125 V
电压 - 测试48 V
当前-测试300 mA
产品详情 企业实力
原装正品
货真价实
现货库存
诚信交易
专业服务
下单咨询
captcha

在线服务

服务时间： 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服：
86-755-23814471

在线服务

服务时间： 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服：
购物车还是空的哦~