K6F3216U6M-EF70T
| ： | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|
| ： | 记忆 |
| ： | Samsung Semiconductor |
| ： | SRAM ASYNC SLOW |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Samsung Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | OBSOLETE |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 内存大小 | 32Mbit |
| 内存类型 | Volatile |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 电压 - 电源 | 2.7V ~ 3.6V |
| 技术 | SRAM - Asynchronous |
| 内存格式 | SRAM |
| 供应商设备包 | 55-TFBGA (7.5x12) |
| 写入周期时间 - 字、页 | 70ns |
| 内存接口 | Parallel |
| 记忆组织 | 2M x 16 |
| DigiKey 可编程 | Not Verified |
